首页 > 商品目录 > > > > DMN3300U-7代替型号比较

DMN3300U-7  与  BSS316N H6327  区别

型号 DMN3300U-7 BSS316N H6327
唯样编号 A-DMN3300U-7 A-BSS316N H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 小信号MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 30 V 150 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 150mΩ@4.5A,4.5V 119mΩ
上升时间 - 2.3ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 700mW(Ta) 500mW(1/2W)
Qg-栅极电荷 - 600pC
栅极电压Vgs ±12V 20V
正向跨导 - 最小值 - 2.3S
典型关闭延迟时间 - 5.8ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 SOT-23 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 2A 1.4A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - BSS316
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 193pF @ 10V -
长度 - 2.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 1.5V,4.5V -
下降时间 - 1ns
典型接通延迟时间 - 3.4ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
购买数量 点击询价 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN3300U-7 Diodes Incorporated  数据手册 小信号MOSFET

SOT-23

暂无价格 0 当前型号
BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH108_SOT23

暂无价格 2 对比
BSH108,215 Nexperia  数据手册 小信号MOSFET

BSH108_SOT23

¥0.9466 

阶梯数 价格
580: ¥0.9466
1,000: ¥0.7338
1,500: ¥0.6015
3,000: ¥0.5419
0 对比
IRLML2803TRPBF Infineon  数据手册 通用MOSFET

Micro3™/SOT-23

暂无价格 0 对比
BSS316NH6327XTSA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSS316N H6327_TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

暂无价格 0 对比
BSS316N H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSS316NH6327XTSA1_2.9mm

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售